圆益QNC股份有限公司刘鈗在获国家专利权
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龙图腾网获悉圆益QNC股份有限公司申请的专利半导体设备氟化对象物氟化加工方法及氟化加工的部件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211285920.3，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权半导体设备氟化对象物氟化加工方法及氟化加工的部件是由刘鈗在;吴承泳;崔恩永;张朱希;崔素瑛;曹漺县设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备氟化对象物氟化加工方法及氟化加工的部件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体设备的氟化对象物的氟化加工方法及通过此方法来氟化加工的部件，即，能够通过将氟化气体激发成等离子体来氟化氟化对象物，从而实现高密度及高强度，同时可以在氟化涂覆时显著减少等离子体污染粒子。
本发明授权半导体设备氟化对象物氟化加工方法及氟化加工的部件在权利要求书中公布了：1.一种氟化对象物的氟化加工方法，其用于氟化氟化对象物表面，在该表面通过大气等离子喷涂法形成有Y2O3涂层，其特征在于，包括： 第一步骤，在具有等离子体反应空间的处理腔室内放置氟化对象物； 第二步骤，在上述处理腔室中导入使用气体，上述使用气体为作为放电气体的Ar、作为非氟反应气体的O2和作为含氟反应气体的CF4的混合气体； 第三步骤，将向上述处理腔室中所导入的上述混合气体引入到上述等离子体反应空间中；以及 第四步骤，通过向上述处理腔室施加高频功率，来在上述等离子体反应空间中生成等离子体，并用所生成的含氟自由基气体及等离子体来氟化上述氟化对象物的表面，从而形成氟化改性层， 在导入上述混合气体的上述第二步骤中，Ar、O2、CF4的流量比（Ar:O2:CF4）为0.1～60:0.1～10:0.1～10， 在上述氟化步骤中，高频电源的频率为1MHz～100MHz，高频功率为300W～400W， 在上述第一步骤至第四步骤中，处理腔室内的气氛由大气压气氛组成， 上述氟化对象物的氟化涂层的形成厚度为0.001μm～10μm， 在形成上述氟化改性层的表面层的氟氧化钇中，F成分为1原子百分比～2原子百分比。
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