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龙图腾网获悉英作纳米科技(北京)有限公司申请的专利一种原子层沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117821941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211195472.8，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种原子层沉积方法是由郭敏;陈宇林;王东君设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原子层沉积方法在说明书摘要公布了：本发明是一种可以实现样片在每个单次循环时的单面原子层沉积方法。通过控制样片两面的极性和前驱体所带电荷，可以有选择的将前驱体吸附到样片的指定面。为了实现单次循环时，样片指定面的单面原子层沉积，本发明不需要对样片进行粘贴、涂胶、光刻、刻蚀、清洗等操作。通过本发明的方法可以很好地解决原子层沉积背面绕镀问题。在原子层沉积过程中，实现样片单面原子层沉积，可以在反应过程中随时切换样片需要沉积的那一面，一次沉积过程就可以根据镀膜需求，实现样片两面不同厚度、不同材料的沉积。

本发明授权一种原子层沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积方法，其特征在于，所述方法应用于原子层沉积设备的反应腔体内，所述反应腔体内设有一个初始状态比较均匀的电场，所述反应腔体内放置有样片，所述样片沿垂直电场方向放置在所述电场中；所述方法包括： 步骤一：样片在电场的作用下产生极化，从而使得样片的两面带上不同的电荷，一面带正电荷一面带负电荷； 步骤二：将带有电荷的第一前驱体通入所述反应腔体，带有电荷的第一前驱体化学吸附于所述样片的带相反电荷的那面； 步骤三：抽走未被吸附的第一前驱体； 步骤四：将与第一前驱体所带电荷相同的第二前驱体通入所述反应腔体，或者改变电场方向将与第一前驱体所带电荷相反的第二前驱体通入所述反应腔体，或者关闭电场将第二前驱体通入所述反应腔体，所述第二前驱体和所述第一前驱体发生化学反应； 步骤五：抽走未被吸附的第二前驱体及反应副产物； 步骤一至步骤五是一个单次循环，样片在沉积过程中，每一个单次循环都可以实现单面原子层沉积，重复执行步骤一至步骤五，直至在所述样片单面上形成预设薄膜为止； 在样片一个单面上形成预设薄膜后，改变电场方向，使样片两面所带的电荷与未改变电场方向之前所带的电荷相反，采用上述同样的方法，通入第三前驱体和第四前驱体，将与第一前驱体所带电荷相同的第三前驱体在步骤二中通入，化学吸附到样片的另一个单面上，将第四前驱体在步骤四中通入，与第三前驱体发生化学反应，通过若干次循环后，达到预设的薄膜厚度； 或者，在样片一个单面上形成预设薄膜后，维持电场方向不变，采用上述同样的方法，通入第三前驱体和第四前驱体，将与第一前驱体所带电荷相反的第三前驱体在步骤二中通入，化学吸附到样片的另一个单面上，将第四前驱体在步骤四中通入，与第三前驱体发生化学反应，通过若干次循环后，达到预设的薄膜厚度； 所述第一前驱体、第三前驱体采用电离、电场极化或静电感应的方法带上电荷。

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