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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115420788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211071534.4，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列及其制备方法是由张勇;刘灿;孙宇;郭嘉懿;李秀磊设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列及其制备方法，传感器阵列结构包括四个独立的气体检测通道，每个气体检测通道由硅基衬底、介电层、源极电极、漏极电极及沟道有源层构成传感组件。沟道有源层所在的区域的敏感材料层，用于提高沟道有源层CNT的选择性。每个气体检测通道的CNT‑TFT型传感组件通过暴露在目标气体前后，将气体的变化转变为电学信号，对气体进行信息采集和输出电信号。基于四个气体检测通道的响应输出结合线性判别分析算法通过分析信息识别出气体。本发明提出的用多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列，能实现对氨气、硫化氢和甲醛三种气体的高灵敏检测和准确识别，促进室内多种有害气体的实时在线监测。

本发明授权用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列，其特征在于，所述碳基薄膜晶体管型传感器阵列包括多个独立的气体检测通道，用于同时检测甲醛、氨气以及硫化氢气体，每个气体检测通道包括一由硅基衬底、介电层、源极电极、漏极电极以及沟道层构成的CNT-FET型传感单元； 多个气体检测通道中的CNT-FET型传感单元的沟道有源层均不相同，并且每一个CNT-FET型传感单元均配置独立的响应信号输出； 其中，每一个CNT-FET型传感单元配置成包括以下构成： 硅基衬底，限定了第一表面和相对的第二表面； 位于硅基衬底的第一表面的介电层； 位于介电层上方的沟道层；以及 位于沟道层的上方两侧、并间隔开的源极电极以及漏极电极； 其中，每个CNT-FET型传感单元的沟道层均由一种沟道有源层构成，所述沟道有源层选自s-CNT沟道以及不同金属修饰的s-CNT沟道中的一种； 所述不同金属修饰的s-CNT包括： s-CNT沟道；以及 沉积在s-CNT沟道的表面的金属薄膜层，所述金属薄膜层为Ti薄膜、Au薄膜以及Cu薄膜； 所述s-CNT沟道为网状结构的s-CNT沟道结构，其厚度为1～2nm。

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