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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低失配动态跨导亚采样电荷泵及亚采样锁相环获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116248114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211054783.2，技术领域涉及：H03L7/085；该发明授权一种低失配动态跨导亚采样电荷泵及亚采样锁相环是由刘术彬;高源;梁鸿志;丁瑞雪;朱樟明设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低失配动态跨导亚采样电荷泵及亚采样锁相环在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低失配动态跨导亚采样电荷泵，包括浮动电容偏置单元、开关单元以及跨导单元；其中，浮动电容偏置单元连接跨导单元，用于存储电荷并产生电压信号以为跨导单元提供电位；开关单元连接跨导单元，用于根据输入的开关电压控制跨导单元进行充电和放电；跨导单元用于将差分电压转化为充放电电流。本发明提供的低失配动态跨导亚采样电荷泵减小了由于电流镜拷贝电流而产生的失配，同时由电容提供动态偏置使得输入管的跨导减小，减小了亚采样电荷泵的噪声，从而提升了电路性能。

本发明授权一种低失配动态跨导亚采样电荷泵及亚采样锁相环在权利要求书中公布了：1.一种低失配动态跨导亚采样电荷泵，其特征在于，包括浮动电容偏置单元1、开关单元2以及跨导单元3；其中 所述浮动电容偏置单元1连接所述跨导单元3，用于存储电荷并产生电压信号以为所述跨导单元3提供电位； 所述开关单元2连接所述跨导单元3，用于根据输入的开关电压控制所述跨导单元3进行充电和放电； 所述跨导单元3用于将差分电压转化为充放电电流； 其中，所述浮动电容偏置单元1包括MOS管M1-M4以及浮动电容Cfloat，且M1和M3为P型MOS管，M2和M4为N型MOS管；其中， M1-M4的栅极分别连接脉冲信号SS_UP、SS_DNB、SS_UPB以及SS_DN； M1的源极连接电压AVDD，M2的源极接地端AGND； M1的漏极和M3的源极共同连接至浮动电容Cfloat的一端，M2的漏极和M4的源极共同连接至浮动电容Cfloat的另一端； M3的漏极作为浮动电容偏置单元1的第一输出端输出电压信号CAP_PLUS； M4的漏极作为浮动电容偏置单元1的第二输出端输出电压CAP_MINUS； 其中，所述跨导单元3包括MOS管M13-M16，且M13和M15为N型MOS管，M14和M16为P型MOS管；其中， M13的栅极连接第一P端采样电压VSAMP_NMOS，M14的栅极连接第二P端采样电压VSAMP_PMOS，M15的栅极连接第一N端采样电压VSAMN_NMOS，M16的栅极连接第二N端采样电压VSAMN_PMOS； M13的漏极连接第一电流源I1，M14的漏极连接第三电流源I3，M15的漏极连接第二电流源I2，M16的漏极连接第四电流源I4； M13源极和M15的源极连接，并共同连接至所述浮动电容偏置单元1的第二输出端； M14源极和M16的源极连接，并共同连接至所述浮动电容偏置单元1的第一输出端。

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