TCL华星光电技术有限公司罗传宝获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210980926.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由罗传宝设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括至少一个低温多晶硅薄膜晶体管和至少一个氧化物薄膜晶体管；低温多晶硅薄膜晶体管包括有源层和第一栅极，氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、第二源极以及第二漏极；其中，第一栅极与第二源极以及第二漏极同层设置，且有源层与氧化物半导体层异层设置。本发明通过将低温多晶硅薄膜晶体管的栅极与氧化物薄膜晶体管的源极以及漏极采用同一道光罩制作，从而简化制作工艺。
本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的至少一个低温多晶硅薄膜晶体管和至少一个氧化物薄膜晶体管； 所述低温多晶硅薄膜晶体管包括有源层和第一栅极，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、第二栅极、第二源极以及第二漏极； 其中，所述第一栅极、第二源极以及第二漏极同层设置，且所述有源层与所述氧化物半导体层异层设置，所述氧化物半导体层包括对应所述第二栅极的沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体区，所述导体区在所述基底上的正投影覆盖所述第一栅极在所述基底上的正投影，其中，所述导体区与所述第一栅极之间形成电容。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL华星光电技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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