天津巴莫科技有限责任公司李琪获国家专利权
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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利高电压单晶三元正极材料、其制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210919392.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权高电压单晶三元正极材料、其制备方法及其应用是由李琪;范亚敏;吕菲;陈德贤;徐宁;陈要忠设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压单晶三元正极材料、其制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高电压单晶三元材料、其制备方法及其应用，通过借助低熔点助熔剂降低晶界熔合能，在低温下进行预烧得到定向微晶核；定向微晶核与结构稳定剂在高温下反应实现晶核的定向生长；通过对活性较低的大粒度三元材料前驱体在分散剂和溶剂辅助下球磨成高活性前驱体，增加了前驱体与锂盐的反应活性位点；本发明制得的单晶三元正极材料具有较好的粒度均一性，过渡金属元素在晶粒内分布的较为均匀，并实现了晶粒的定向生长，同时具有较高的压实密度，在较高的碾压强度下，极片能够保持包覆的完整性，避免出现晶界破碎，材料的容量、高低温循环及倍率性能明显优于传统单晶三元正极材料。本发明制备方法简单，设备通用性强，易于进行规模化生产。
本发明授权高电压单晶三元正极材料、其制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种高电压单晶三元正极材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤： S1：将高活性前驱体Ⅱ、锂源、助熔剂混合，进行一次烧结，得到产物Ⅰ；所述助熔剂包括缺电子型化合物，所述缺电子型化合物选自氧化硼、硼酸、氯化硼、氟化硼中的一种或多种； S2：将产物Ⅰ与结构稳定剂混合，进行二次烧结，得到产物Ⅱ；所述结构稳定剂具有阴离子和阳离子，阴离子选自磷酸根、偏磷酸根、氟离子中的一种；阳离子选自Al、Mg、Zr、Ti、Ni、Mn、B、Y、Zn、Mo、Ru、Ta、W、Re、Sn、Ge或Ga阳离子中的一种或多种； S3：将产物Ⅱ与表面包覆剂混合，进行三次烧结，得到高电压单晶三元正极材料； 所述高活性前驱体Ⅱ为三元材料前驱体Ⅰ、溶剂、分散剂混合后球磨所得。
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