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龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利氮化镓衬底中M面的确认方法及氮化镓衬底的切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210654592.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权氮化镓衬底中M面的确认方法及氮化镓衬底的切割方法是由王颖慧;罗晓菊;唐金凤设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓衬底中M面的确认方法及氮化镓衬底的切割方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种氮化镓衬底中M面的确认方法及氮化镓衬底的切割方法，包括：提供氮化镓衬底；于所述氮化镓衬底的上表面选择扫描点；基于所述扫描点对所述氮化镓衬底的预设晶面进行多次摇摆曲线扫描，以得到多个Omega曲线及与多个Omega曲线的峰值对应的多个扫描角度；对所述氮化镓衬底的W面进行360°Phi扫描，以得到多个与M面对应的Phi值；基于多个所述扫描角度中的最大扫描角度、最小扫描角度及多个所述Phi值，确定所述氮化镓衬底中与所述斜切角最近的M面及与所述斜切角最远的M面。上述氮化镓衬底中M面的确认方法中，可以准确确认氮化镓衬底中与斜切角最近的M面及与斜切角最远的M面。

本发明授权氮化镓衬底中M面的确认方法及氮化镓衬底的切割方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓衬底中M面的确认方法，其特征在于，包括： 提供氮化镓衬底； 于所述氮化镓衬底的上表面选择扫描点； 基于所述扫描点对所述氮化镓衬底的预设晶面进行多次摇摆曲线扫描，以得到多个Omega曲线及与多个Omega曲线的峰值对应的多个扫描角度； 对所述氮化镓衬底的W面进行360°Phi扫描，以得到多个与M面对应的Phi值； 基于多个所述扫描角度中的最大扫描角度、最小扫描角度及多个所述Phi值，确定所述氮化镓衬底中与斜切角最近的M面及与所述斜切角最远的M面； 其中，所述最大扫描角度所对应的所述氮化镓衬底在XY平面内的旋转角度记为第一角度，所述最小扫描角度所对应的所述氮化镓衬底在XY平面内的旋转角度记为第二角度；基于多个所述扫描角度中的最大扫描角度、最小扫描角度及多个所述Phi值，确定所述氮化镓衬底中与所述斜切角最近的M面及与所述斜切角最远的M面，包括： 将所述第一角度与多个所述Phi值进行比较，与所述第一角度的差值的绝对值小于或等于预设值的Phi值所对应的M面，即为氮化镓衬底上离斜切角最远的M面； 将所述第二角度与多个所述Phi值进行比较，与所述第二角度的差值的绝对值小于或等于所述预设值的Phi值所对应的M面，即为氮化镓衬底上离斜切角最近的M面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人镓特半导体科技(上海)有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。