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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种芯片封装工艺及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210477158.2，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种芯片封装工艺及芯片是由诸舜杰;张静;严博;钟添宾设计研发完成，并于2022-05-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片封装工艺及芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种芯片封装工艺及芯片，通过在裸芯的第二表面设置第一金属层，将裸芯第一表面漏极通过第一孔和第二孔中的金属引到裸芯的第二表面，以便将裸芯的第二表面的导电保护层焊接到PCB板上，使芯片的源极到PCB板距离比较近，导致芯片散热很好，裸芯的第一表面通过第三塑封层塑封第二金属层进行保护。

本发明授权一种芯片封装工艺及芯片在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，将裸芯第一表面通过第一连接件固定在第一支撑件上，所述裸芯第二表面设置有电极引出层； 步骤二，对所述裸芯第二表面进行第一次塑封形成第一塑封层，所述第一塑封层包覆裸芯第二表面的电极引出层； 步骤三，对所述第一塑封层减薄处理直到电极引出层漏出； 步骤四，在所述第一塑封层中从所述第二表面向第一表面方向打第一孔，并在所述第一孔中填充金属； 步骤五，在所述第一塑封层的第一孔对应位置和电极引出层对应位置分别间隔设置第一金属层； 步骤六，对所述裸芯第二表面进行第二次塑封形成第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第一金属层； 步骤七，对所述第二塑封层减薄处理直到第一金属层漏出； 步骤八，将所述第一金属层远离电极引出层的表面通过第二连接件设置第二支撑件上，并将所述裸芯第一表面的第一连接件和第一支撑件去除； 步骤九，在所述第一孔对应位置在所述第一塑封层中从第一表面向第二表面方向打第二孔直到所述第二孔和第一孔连通，并在所述第二孔中填充金属； 步骤十，在所述第二孔对应位置和所述裸芯第一表面分别设置第二金属层； 步骤十一，对所述裸芯第一表面进行第三次塑封形成第三塑封层，所述第三塑封层包覆所述第二金属层； 步骤十二，去除所述第二支撑件，在所述第一金属层上表面设置保护层； 在完成所述第一塑封层，第二塑封层和第三塑封层之后包括对所述第一塑封层，第二塑封层和第三塑封层进行高温固化。

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