苏州金宏气体股份有限公司高如天获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州金宏气体股份有限公司申请的专利一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件及其制造方法和有机场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404902.6，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件及其制造方法和有机场效应晶体管是由高如天;孙猛设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件及其制造方法和有机场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件结构，包括衬底、栅极层、绝缘层、半导体层、源漏电极；所述半导体层为有机聚合物旋涂于所述衬底和所述源漏电极表面，经氘气产生等离子体轰击工艺，将所述半导体层表面的聚合物钝化处理转化为绝缘层，使所述绝缘层和所述半导体层具有一体结构。采用了本发明的技术方案，无需重新选择材料再单独制备绝缘层，而是通过氘气等离子体轰击技术，形成的绝缘层表面能非常低，当在绝缘层上再次进行真空蒸镀铝形成栅极层时，栅极层能够与绝缘层很好的结合，避免了脱落的技术问题。
本发明授权一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件及其制造方法和有机场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件结构，其特征在于，包括衬底、栅极层、绝缘层、半导体层、源漏电极；所述半导体层为有机聚合物旋涂于所述衬底和所述源漏电极表面，经氘气等离子体轰击工艺，将所述半导体层表面的聚合物钝化处理转化为绝缘层，使所述绝缘层和所述半导体层具有一体结构； 所述有机聚合物的单体中含有碳碳双键的基团，包括乙烯基、苯乙烯基、芳香族基团中的一种或多种，碳碳双键形成共轭链结构； 所述有机聚合物的单体为结构式1：和或和或其中，R1、R2、R3、R4为氢或C1～C20的烷基或含有全氟取代基的C1～C20的烷基或含有硅氧键取代基的C1～C20烷基中的至少一种； 所述氘气等离子体轰击工艺是将所述半导体层表面能够与氘气等离子体接触的有机聚合物轰击后产生钝化作用得到所述绝缘层；所述钝化处理是指通过氘气等离子体轰击所述有机聚合物表面是氘气等离子体与有机聚合物发生加成反应，使有机聚合物的不饱和碳碳双键加成为氘代碳碳饱和键。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州金宏气体股份有限公司，其通讯地址为：215152 江苏省苏州市相城区黄埭镇潘阳工业园安民路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号