南京文采工业智能研究院有限公司蔡小五获国家专利权
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龙图腾网获悉南京文采工业智能研究院有限公司申请的专利一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210392661.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构是由蔡小五;池敏设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构在说明书摘要公布了：本发明涉及ESD保护电路技术领域，且公开了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路，所述输入电路电性连接有保护电阻，所述保护电阻远离输入电路的一侧电性连接有MOS集成电路管，所述MOS集成电路管的外壁均匀的固定连接有放电针。该硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，使用时散热风扇吹出的风进入到进风口中，将负离子发生装置产生的负离子均匀的吹到保护管的内部，此时这些负离子可以消除MOS集成电路管附近带正电的粒子，从而达到了避免MOS集成电路产生静电现象，当电路中出现静电现象影响到MOS集成电路管时，此时经过放电针可以及时的消除电路中静电，避免MOS集成电路受到静电影响。
本发明授权一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构在权利要求书中公布了：1.一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路（1），其特征在于：所述输入电路（1）电性连接有保护电阻（2），所述保护电阻（2）远离输入电路（1）的一侧电性连接有MOS集成电路管（3），所述MOS集成电路管（3）的外壁均匀的固定连接有放电针（4），所述MOS集成电路管（3）远离保护电阻（2）的一侧电性连接有输出电路（5），所述MOS集成电路管（3）的外部套接有保护管（6），所述保护管（6）的外部固定连接有放电嘴（7），所述保护管（6）的顶部设有进风口（8），所述进风口（8）的内部安装有负离子发生装置（9），所述保护管（6）远离进风口（8）的一侧设有出风口（10）； 所述放电针（4）远离MOS集成电路管（3）的一端逐渐变细； 所述保护管（6）的外壁接地； 所述放电嘴（7）罩在放电针（4）的外部。
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