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龙图腾网获悉西北师范大学申请的专利一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210386240.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法是由李燕;董小飞;李思源;孙浩;赵雲;陈江涛设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铜锡硫CTS忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。

本发明授权一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铜锡硫忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：制备铜锡硫前驱液：将铜源、锡源和硫源溶于有机溶剂中，搅拌，获得铜锡硫前驱液； 步骤2：制备铜锡硫粉末：将步骤1制得的铜锡硫前驱液倒入水热反应釜并置于水热箱中进行水热反应，反应结束后，自然冷却，倒去上清液，将剩余混合物离心洗涤，干燥后得到黑色粉末，将所述黑色粉末研磨得到铜锡硫纳米颗粒； 步骤3：制备聚甲基丙烯酸甲酯溶液：将聚甲基丙烯酸甲酯颗粒溶于有机溶剂中，获得聚甲基丙烯酸甲酯溶液； 步骤4：制备铜锡硫和聚甲基丙烯酸甲酯复合溶液：将步骤2中制得的铜锡硫纳米颗粒加入步骤3制得的聚甲基丙烯酸甲酯溶液中，室温搅拌，获得铜锡硫和聚甲基丙烯酸甲酯复合溶液； 步骤5：清洗FTO导电玻璃基底； 步骤6：制备铜锡硫-聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜：将步骤4制得的铜锡硫和聚甲基丙烯酸甲酯复合溶液，滴在步骤5清洗得到的FTO导电玻璃基底的导电面上，旋涂，室温干燥，制得铜锡硫-聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜，从而获得铜锡硫-聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜FTO结构；其中，所述FTO导电玻璃基底的导电面为背电极； 步骤7：组装Al铜锡硫-聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜FTO忆阻器件：在步骤6获得的铜锡硫-聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜FTO结构上进一步沉积上电极，其中，所述的上电极沉积在铜锡硫-聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜上；所述上电极材质为Al。

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