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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114708894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210301952.1，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器是由秦家军;常泽光;赵雷;安琪设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器，电路包括：其中，七个NMOS管和四个PMOS管，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管组成施密特触发器；第四PMOS管和第四NMOS管组成一个反相器；施密特触发器输出端连到反向器输入端，反向器输出端连到施密特触发器输入端；构成施密特触发器的第三PMOS管MP3管的漏极和第三NMOS管管的源极连到反向器输出端。这种存储单元电路使得作为第一存储节点Q的第二PMOS管的漏极与第二存储节点Qb的第四PMOS管的漏极为互锁的节点，提升了对抗单粒子翻转的性能，且电路结构相对简单，功耗较低，也便于制造。

本发明授权抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路，其特征在于，包括： 七个NMOS管和四个PMOS管；其中， 第一NMOS管MN1的栅极、第一PMOS管MP1的栅极、第七NMOS管MN7的源极和第五NMOS管MN5的源极电性连接； 第二NMOS管MN2的栅极、第二PMOS管MP2的栅极、第四NMOS管MN4的漏极、第四PMOS管MP4的漏极、第三NMOS管MN3的源极、第三PMOS管MP3的源极和第七NMOS管MN7的漏极电性连接； 第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的源极和第三NMOS管MN3的漏极电性连接； 第一PMOS管MP1的漏极、第二PMOS管MP2的源极和第三PMOS管MP3的漏极电性连接； 第二NMOS管MN2的漏极、第二PMOS管MP2的漏极、第三NMOS管MN3的栅极、第三PMOS管MP3的栅极、第四NMOS管MN4的栅极、第四PMOS管MP4的栅极和第六NMOS管MN6的源极电性连接； 所述第五NMOS管MN5的栅极与第六NMOS管MN6的栅极均与字线WL电性连接； 所述第七NMOS管MN7的栅极与写控制线CL电性连接； 所述第五NMOS管MN5的漏极与第一位线BLB电性连接； 所述第六NMOS管MN6的漏极与第二位线BL电性连接； 所述第一NMOS管MN1的源极、第四NMOS管MN4的源极和所有NMOS管的体端均接地GND； 所述第一PMOS管MP1的源极、第四PMOS管MP4的源极和所有PMOS管的体端均连接电源VDD。

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