西安电子科技大学广州研究院李祥东获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210233913.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法是由李祥东;王萌;袁嘉惠;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于硅钝化的p‑GaN栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次设置的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层的两侧分别开设有隔离区，所述隔离区自所述势垒层的上表面延伸至所述缓冲层的上表面；所述势垒层的上表面的中间位置自下而上依次设置有帽层、钝化层、氧化层和栅电极，所述势垒层的上表面两侧分别设置有源电极和漏电极。本发明通过在帽层上淀积钝化层，能够隔离氧化层与势垒层，大幅度钝化p‑GaN材料的表面态和缺陷，有效提升p‑GaN栅极耐压性，改善器件的阈值电压漂移，增大输出电流，减小栅极泄漏电流。
本发明授权基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底层1、成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层5，所述势垒层5的两侧分别开设有隔离区7，所述隔离区7自所述势垒层5的上表面延伸至所述缓冲层3的上表面； 所述势垒层5的上表面的中间位置自下而上依次设置有帽层6、钝化层8、氧化层9和栅电极10，所述势垒层5的上表面两侧分别设置有源电极11和漏电极12，其中，所述钝化层8为厚度1～5nm的Si钝化层，所述氧化层9为厚度0.5～2nm的SiO2氧化层。
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