中国科学院上海硅酸盐研究所林慧兴获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种高抗弯强度高Q值微波介质材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116730733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210209218.2，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种高抗弯强度高Q值微波介质材料及其制备方法是由林慧兴;王思民;何飞;姜少虎;彭海益;任海深设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高抗弯强度高Q值微波介质材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高抗弯强度高Q值微波介质材料及其制备方法。所述微波介质材料的化学组成包括：铌酸镁基体、以及分散在铌酸镁基体中的片状氧化物作为第二相；所述片状氧化物相为片状氧化铝、片状氧化锡、片状氧化硅、片状氧化锆、片状氧化钛、片状氧化钨中的至少一种，0.1≤x≤5。
本发明授权一种高抗弯强度高Q值微波介质材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高抗弯强度高Q值的微波介质材料的制备方法，其特征在于，所述微波介质材料的化学组成为铌酸镁基体、以及分散在铌酸镁基体中的片状氧化物作为第二相；所述片状氧化物相为片状氧化铝，片状氧化铝的质量分数为xwt%，x的取值范围为0.1≤x＜1；所述片状氧化铝的长度为10～18μm，长宽比为（6～9）：1，厚度为800nm～3μm；所述铌酸镁基体中Mg元素和Nb元素的摩尔比为（1.03～1.05）：2； 所述具有高抗弯强度高Q值的微波介质材料的制备方法包括：将铌酸镁粉体和片状氧化铝粉体按照微波介质材料的化学组成称量并混合，再经造粒和成型后，得到素坯；将所得素坯先以5～10℃分钟的升温速率升温至1250～1300℃下保温4～6小时，再以1～5℃分钟的降温速率降温至1000～1100℃下保温4～6小时，得到所述具有高抗弯强度高Q值的微波介质材料。
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