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龙图腾网获悉厦门智多晶科技有限公司申请的专利同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210198019.6，技术领域涉及：G11C11/41；该发明授权同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法是由蔡旭伟;王黎明;韦嶔;程显志;贾红设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种同时选中多个地址的加强型FPGASRAM阵列配置方法，包括：确定SRAM阵列的加强型写操作起始地址；采用加强型写操作在第一地址部写入对应的配置数据；采用普通写操作在第二地址部写入对应的配置数据；其中，在SRAM阵列中，加强型写操作起始地址以及其之后的地址为第一地址部，加强型写操作起始地址之前的地址为第二地址部。本发明的同时选中多个地址的加强型FPGASRAM阵列配置方法，采用加强型写操作方法，在不改变现有电路的情况下，在大规模SRAM阵列下，确保远离位线驱动电路的SRAM单元也可正确写入配置数据。

本发明授权同时选中多个地址的加强型FPGA SRAM阵列配置方法在权利要求书中公布了：1.一种同时选中多个地址的加强型FPGASRAM阵列配置方法，其特征在于，包括： 确定SRAM阵列的加强型写操作起始地址；包括：通过实验测试得到所述SRAM阵列中无法写入配置数据的起始地址；按照预设长度选取该起始地址之前的地址作为所述加强型写操作起始地址； 采用加强型写操作在第一地址部写入对应的配置数据；包括： 步骤1：选取所述第一地址部的当前写入地址，记为addr[k]； 步骤2：获取所述当前写入地址的配置数据，并将所述配置数据依次写入与当前写入地址相邻的若干个地址中，所述相邻的若干个地址位于所述当前写入地址之前； 步骤3：同时打开所述当前写入地址和所述相邻的若干个地址，将所述配置数据写入所述当前写入地址中； 步骤4：令k=k-1，重复步骤1-步骤4，直到所述加强型写操作起始地址的配置数据写入，所述第一地址部的所有地址对应的配置数据写入完成； 在对所述第一地址部进行写操作时，选取距离位线驱动电路最远的地址作为第一个写入地址进行所述加强型写操作写入对应的配置数据； 采用普通写操作在第二地址部写入对应的配置数据； 其中，在所述SRAM阵列中，所述加强型写操作起始地址以及其之后的地址为所述第一地址部，所述加强型写操作起始地址之前的地址为所述第二地址部。

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