长江存储科技有限责任公司王志强获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114487754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210119353.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置是由王志强设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置。该装置包括：N个电阻单元，N个电阻单元串联形成电阻串结构；电流检测单元，用于检测流过电阻串结构的电流；第一电极、第二电极、开关器件和N个测试电极，其中，电阻串结构的第一端与电源端电连接，电阻串结构的第二端分别与第一电极和开关器件的第一端电连接，开关器件的第二端接地；N个电阻单元的第二端用于与N个待测试MOS器件的栅极一一对应电连接；N个测试电极用于与N个待测试MOS器件的漏极一一对应电连接。本测试电路一次可以测得多个待测试MOS器件的不同栅极电压或者漏极电压的HCI，提高了测试效率。
本发明授权测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置在权利要求书中公布了：1.一种测试电路，其特征在于，包括： N个电阻单元，N个所述电阻单元串联形成电阻串结构； 电流检测单元，与所述电阻串结构电连接，用于检测流过所述电阻串结构的电流； 第一电极、第二电极、开关器件和N个测试电极，N为大于或者等于2的整数，其中， 所述电阻串结构的第一个电阻单元的第一端与电源端电连接，所述电阻串结构的最后一个电阻单元的第二端分别与所述第一电极和所述开关器件的第一端电连接，所述开关器件的第二端接地，所述开关器件的第三端与所述第二电极电连接； N个所述电阻单元的第二端用于与N个待测试MOS器件的栅极一一对应电连接； N个所述测试电极用于与N个所述待测试MOS器件的漏极一一对应电连接，N个所述待测试MOS器件的源极和衬底接地。
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