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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利扇出型封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671780.9，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权扇出型封装方法是由陶玉娟;姜艳设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型封装方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在载板的第一表面设置第一芯片；其中，所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面，且所述第一芯片的功能面背离所述第一表面；在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝；至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接；去除所述载板，并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。通过上述方式，本申请能够降低芯片翘曲的概率并提高扇出型器件的散热效果。

本发明授权扇出型封装方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括： 在载板的第一表面设置第一芯片；其中，所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面，且所述第一芯片的功能面背离所述第一表面； 在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝；至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接； 去除所述载板，并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片； 所述至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接，包括：在所述第一芯片的侧面外围以及所述环形围坝的侧面外围形成胶层；其中，所述胶层为绝缘胶；或者，所述胶层具有导电性； 其中，所述在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝的步骤之前，包括：同时形成多个导电柱和多个导电凸点；其中，所述多个导电柱位于所述第一芯片的侧面外围，所述多个导电凸点位于所述第一芯片的功能面上；具体而言，在所述载板设置有所述第一芯片一侧设置光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影以生成多个过孔，在所述过孔内填充导电金属以生成所述导电柱和所述导电凸点； 其中，所述在载板的第一表面设置第一芯片的步骤，包括：使所述第一芯片的非功能面朝向所述载板，且所述第一芯片的非功能面与所述载板之间设置有第二散热片； 其中，所述导电柱位于所述胶层的外围，所述去除所述载板，并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片的步骤，包括：使所述载板设置有所述第一芯片一侧朝向导电基板，并使所述导电柱和所述导电凸点与所述导电基板电连接；去除所述载板；在所述第一芯片的非功能面设置所述第一散热片，且所述导电柱从所述第一散热片中露出； 其中，所述第一散热片包括底板以及自所述底板延伸的多个侧板；其中，所述底板在所述导电基板上的正投影覆盖所述第一芯片和所述环形围坝，所述侧板穿设在所述环形围坝和所述导电柱之间的间隙并与所述导电基板接触。

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