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龙图腾网获悉上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111651889.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统是由刘大威;邓信甫;杨嘉斌;林忠宝设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统，涉及半导体技术领域，包括：清洗模组；高温溶液供应模块；高温溶液回收模块；多个常温溶液供应模块，每个常温溶液供应模块包括供应单元和回收单元；总控模块控制高温溶液供应模块向清洗模组提供沸腾的磷酸水溶液对晶圆进行蚀刻，以及控制补水模块向高温溶液供应模块输送超纯水；控制高温溶液回收模块由清洗模块回收磷酸水溶液，并将磷酸水溶液进行过滤后输送回高温溶液供应模块；控制供应单元向清洗模块提供常温的清洗溶液对晶圆进行清洗，以及控制回收单元由清洗模块回收清洗溶液并输送回供应单元。有益效果是有效满足氮化硅选择性蚀刻的需求，保证清洗蚀刻过程中的安全性且有效节约成本。

本发明授权一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统在权利要求书中公布了：1.一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统，其特征在于，包括： 清洗模组，用于为一晶圆的清洗蚀刻提供一处理腔室； 高温溶液供应模块，分别连接所述清洗模组和一补水模块； 高温溶液回收模块，分别连接所述清洗模组和所述高温溶液供应模块； 多个常温溶液供应模块，分别连接所述清洗模组，每个所述常温溶液供应模块分别包括一供应单元和一回收单元； 总控模块，分别连接所述高温溶液供应模块、所述补水模块、所述高温溶液回收模块和各所述常温溶液供应模块，所述总控模块包括： 第一控制单元，用于控制所述高温溶液供应模块向所述清洗模组提供沸腾的磷酸水溶液对所述晶圆进行蚀刻，以及控制所述补水模块向所述高温溶液供应模块输送超纯水； 第二控制单元，用于控制所述高温溶液回收模块由所述清洗模组回收所述磷酸水溶液，并将所述磷酸水溶液进行过滤后输送回所述高温溶液供应模块； 第三控制单元，用于控制所述供应单元向所述清洗模组提供常温的清洗溶液对所述晶圆进行清洗，以及控制所述回收单元由所述清洗模组回收所述清洗溶液并输送回所述供应单元； 所述清洗模组包括： 承载平台，设置于所述处理腔室的下部； 两蚀刻通道，对称设置于所述处理腔室的内壁且位于所述承载平台的两侧； 两清洗通道，对称设置于所述处理腔室的内壁且位于所述承载平台的两侧，所述清洗通道对应设置于所述蚀刻通道的下方； 所述总控模块还包括一第四控制单元，用于控制所述承载平台驱动所述晶圆在进行蚀刻时悬浮于所述承载平台的上方并位于两所述蚀刻通道所在的平面，以及驱动所述晶圆在进行清洗时悬浮于所述承载平台的上方并位于两所述清洗通道所在的平面。

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