芜湖启迪半导体有限公司左万胜获国家专利权
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龙图腾网获悉芜湖启迪半导体有限公司申请的专利一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111641177.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法是由左万胜;袁松;胡新星;仇成功;胡涵;赵海明;钮应喜设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述耗尽型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H‑SiC缓冲层、N型低掺杂4H‑SiC缓冲层、掺V高阻4H‑SiC缓冲层、掺V高阻4H‑SiC漂移层、4H‑SiC沟道层、3C‑SiC势垒层；该外延结构具有高电子迁移率，且可降低漏电通道，避免衬底小面生长区域漏电流较大而导致器件失效。
本发明授权一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述耗尽型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H-SiC缓冲层、N型低掺杂4H-SiC缓冲层、掺V高阻4H-SiC缓冲层、掺V高阻4H-SiC漂移层、4H-SiC沟道层、3C-SiC势垒层； 所述衬底层为正轴N型SiC衬底层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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