武汉光谷信息光电子创新中心有限公司党子越获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请的专利一种控制信号产生电路、自动增益控制环路以及TIA获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114337641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111625250.0，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种控制信号产生电路、自动增益控制环路以及TIA是由党子越;王磊;肖希设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种控制信号产生电路、自动增益控制环路以及TIA在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种控制信号产生电路，自动增益控制环路以及跨阻放大器TIA，其中，所述控制信号产生电路包括：电压‑电流转换电路，电流比较电路以及电压生成电路；其中，所述电压‑电流转换电路，用于将输入的待控制电压信号转化为其对应的待控制电流信号，以及将输入的参考电压信号转化为其对应的参考电流信号；所述电流比较电路，用于将产生的所述待控制电流信号和所述参考电流信号进行比较，产生差值电流信号；所述电压生成电路，用于基于所述差值电流信号，生成电压控制信号。
本发明授权一种控制信号产生电路、自动增益控制环路以及TIA在权利要求书中公布了：1.一种控制信号产生电路，其特征在于，该控制信号产生电路包括：电压-电流转换电路，电流比较电路以及电压生成电路；其中， 所述电压-电流转换电路，用于将输入的待控制电压信号转化为其对应的待控制电流信号，以及将输入的参考电压信号转化为其对应的参考电流信号； 所述电流比较电路，用于将产生的所述待控制电流信号和所述参考电流信号进行比较，产生差值电流信号； 所述电压生成电路，用于基于所述差值电流信号，生成电压控制信号；其中， 所述电压-电流转换电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管；其中， 所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极连接所述待控制电压信号，所述第一PMOS管的漏极输出第一待控制电流信号，所述第二PMOS管的漏极输出第二待控制电流信号，所述第一待控制电流信号和所述第二待控制电流信号相同； 所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极连接所述参考电压，所述第三PMOS管的漏极输出第一参考电流信号，所述第四PMOS管的漏极输出第二参考电流信号，所述第一参考电流信号和所述第二参考电流信号相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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