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龙图腾网获悉成都亚光电子股份有限公司申请的专利一种微波薄膜集成电路的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111601571.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种微波薄膜集成电路的制备方法是由程吉霖;刘旭;卢超;聂源设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微波薄膜集成电路的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微波薄膜集成电路的制备方法，在金属化处理后，附着光刻胶，并选择性去除光刻胶形成电路图形，再选择性电镀金，然后利用真空溅射的方式制备抗刻蚀TiW掩膜保护层，利用光刻胶剥离工艺很好的去除非图形区域的抗刻蚀金属掩膜保护层，再按照一定顺序依次去除其它膜层，从而得到微波薄膜集成电路板。本发明提供的制备方法可以用于含Ni层的复合薄膜，打破了现有技术的局限，适用性更广。而且，即使带胶电镀过程中出现电镀渗金现象，利用本发明的制备方法，也可制备出合格的薄膜电路。同时，本发明的制备方法能够提高附着性，克服了在金层上电镀会降低电路附着力而不适用于对抛光型陶瓷基片进行金属化的问题。

本发明授权一种微波薄膜集成电路的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微波薄膜集成电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在陶瓷基片的表面进行金属化处理，形成金属复合膜层； 所述金属复合膜层中，底层与所述陶瓷基片的表面接触，表层背离所述陶瓷基片； 所述金属复合膜层的表层为Au膜层； 所述金属复合膜层选自：TaN-TiW-Ni-Au复合膜、TiW-Ni-Au复合膜、TaN-TiW-Ni-Au复合膜或NiCr-Ni-Au复合膜； S2、在所述金属复合膜层的表面附着光刻胶，并去除电路图形区域的光刻胶使电路图形区域的金属复合膜层露出，保留非电路图形区域的光刻胶； S3、对步骤S2所得电路板进行电镀金，在电路图形区域露出的金属复合膜层的表面形成镀金层； S4、对步骤S3所得电路板进行真空溅射，在电路图形区域的镀金层表面和非电路图形区域的光刻胶表面形成抗刻蚀金属掩膜保护层； 所述抗刻蚀金属掩膜保护层为TiW合金层； S5、去除非电路图形区域的光刻胶和光刻胶表面的抗刻蚀金属掩膜保护层，露出金属复合膜层； S6、去除非电路图形区域露出的金属复合膜层中的表层； S7、去除电路图形区域附着的抗刻蚀金属掩膜保护层；所述去除的方式为：将步骤S6所得电路板置于钛钨腐蚀液中进行腐蚀；所述钛钨腐蚀液为双氧水溶液； S8、去除非电路图形区域露出的金属复合膜层中的其它层，得到微波薄膜集成电路基板。

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