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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111463405.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、N型源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、槽型源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和N型源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和N型源区相接；槽型源极包括水平源极部和竖直源极部，竖直源极部相接在水平源极部的一端，形成纵截面呈L型的源极；水平源极部设置在N型源区上方，竖直源极部与N型源区和基体区的侧面均相接，使得N型源区的拐角与槽型源极的拐角相贴合；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够提高器件的雪崩能力。

本发明授权槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、N型源区4、屏蔽栅5、控制栅6、绝缘层7、槽型源极8、漏极9以及金属栅极10； 所述漂移区2与所述衬底区1相接，以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向为上方，所述基体区3和所述N型源区4依次设置在所述漂移区2上方；所述控制栅6和所述屏蔽栅5由上至下依次设置在所述漂移区2的侧方，并通过所述绝缘层7分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述N型源区4相接； 所述槽型源极8包括水平源极部和竖直源极部，所述竖直源极部相接在所述水平源极部的一端，形成纵截面呈L型的源极；所述水平源极部设置在所述N型源区4上方，所述竖直源极部与所述N型源区4和所述基体区3的侧面均相接，使得所述N型源区4的拐角与所述槽型源极8的拐角相贴合； 所述漏极9设置在所述衬底区下方；所述金属栅极10设在所述控制栅上方； 还包括：N型补偿区11； 所述N型补偿区11设置在所述槽型源极8与所述漂移区2之间，所述N型补偿区11的顶面与所述竖直源极部相接触，所述N型补偿区11的底面与所述漂移区相接触，所述N型补偿区11的一个侧面与所述基体区3相接触。

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