美光科技公司P·S·阮获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111430028.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取是由P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取在说明书摘要公布了：本申请案涉及经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取。存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。存储器装置根据位值组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示位值的组合的第一电平。所述阈值电平被分成组，每一组含有所述阈值电平的子集且具有分离所述子集中的阈值电平的相关联读取电压。为所述存储器单元确定所述组当中含有所述第一电平的第一组的组标识。所述存储器装置施加在序列中按递增次序交错的不同组的读取电压，以在所施加读取电压与所述第一组相关联时读取所述存储器单元。使用从所述存储器单元读回的所述数据位来精细编程所述存储器单元的所述阈值电压。
本发明授权经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取在权利要求书中公布了：1.一种在存储器装置中实施的方法，其包括： 接收多个数据位页； 根据位值的组合与阈值电平之间的第一映射，将存储器单元页中的每一相应存储器单元的阈值电压编程到表示位值的组合的相应第一电平，每一位值来自所述多个数据位页中的一页，所述阈值电平中的每一个在多个组中的一个，所述多个组中的每一个含有所述阈值电平的子集且具有分离所述子集中的阈值电平的一组相关联读取电压； 计算所述相应存储器单元的组标识，所述组标识识别所述多个组当中的第一组，所述第一组含有所述相应第一电平，所述组标识具有至少两个位； 使施加到所述存储器单元页的电压斜升到按递增次序的读取电压序列以从所述存储器单元页检索所述多个数据位页，其中所述多个组的读取电压在所述序列中交错；及 在施加于所述存储器单元页上的所述读取电压与所述第一组相关联时，确定所述相应存储器单元的所述阈值电压是否低于所述序列中的读取电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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