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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种化学气相沉积设备及其气体混合装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115786881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111435929.3，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种化学气相沉积设备及其气体混合装置是由龚岳俊;李雪子设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化学气相沉积设备及其气体混合装置在说明书摘要公布了：一种化学气相沉积设备及其气体混合装置，化学气相沉积设备包含反应腔和位于反应腔内部上方的气体喷淋头，位于气体喷淋头上方的气体混合装置包含：具有主气体通道和第二气体通道的主体结构，以及设置在主气体通道内的气流塞。主气体通道的进气端连接至第一反应气体源，出气端朝向气体喷淋头，第二气体通道的进气端连接至第二反应气体源，出气端连接至所述主气体通道。气流塞具有柱状的弹身部，弹身部包括第一端和第二端，第一端朝向主气体通道进气端，第二端朝向主气体通道出气端，第二端包括一呈锥状结构的气体导流部。本发明能够实现较高的气体混合均匀度，从而降低了气体喷淋头的工艺复杂度，进一步降低了设备成本。

本发明授权一种化学气相沉积设备及其气体混合装置在权利要求书中公布了：1.一种气体混合装置，用于化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包含反应腔以及位于反应腔内部上方的气体喷淋头，其特征在于，所述气体混合装置位于所述气体喷淋头上方，且其包含： 主体结构，其具有主气体通道和第二气体通道；所述主气体通道的进气端连接至第一反应气体源，出气端朝向气体喷淋头； 所述第二气体通道的进气端连接至第二反应气体源，还包括多个第二气体出气喷口连接至所述主气体通道；以及， 设置在所述主气体通道内的气流塞；所述气流塞具有柱状的弹身部，所述弹身部的第一端朝向主气体通道进气端，弹身部的第二端朝向主气体通道出气端，所述弹身部第二端还包括一呈锥状的气体导流部，所述多个第二气体出气喷口围绕所述主气体通道，使得第二反应气体流经所述第二气体出气喷口后朝向所述弹身部或者气体导流部喷出； 所述主气体通道的进气端具有锥状内壁结构，所述锥状内壁结构延伸至所述气流塞的弹身部所在的位置，所述锥状内壁结构的开口宽度朝向主气体通道进气端方向逐渐减小，所述锥状内壁结构的锥状顶角朝上。

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