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龙图腾网获悉天水华天科技股份有限公司申请的专利一种双基岛单个异形散热片外露引线框架获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111398290.6，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种双基岛单个异形散热片外露引线框架是由孙亚丽;崔卫兵;邓旭东;张进兵;张易勒设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双基岛单个异形散热片外露引线框架在说明书摘要公布了：本发明属于微电子组装与封装技术领域，公开了一种双基岛单个异形散热片外露引线框架。包括引线框架本体和引线框架结构，其中引线框架本体为矩形结构，设置于所述引线框架本体上，包含若干列引线框架组，每列引线框架组包含若干个引线框架结构最小单元，若干个引线框架结构最小单元竖直分布，自上而下依次设置。此外本发明还包括两个基岛和三种引脚，并通过引线框架基岛的不同下沉深度设计，保证了IC芯片与MOS芯片合封时，有效的实现了只需要大功率MOS芯片的外露散热，保证产品高散热需求。同时IC芯片为全包封结构，在塑封时可以保证上下模流平衡，防止冲线，阻止塑封体内部沙眼气孔等质量问题，有效实现了IC芯片基岛不外露来保障产品可靠性。

本发明授权一种双基岛单个异形散热片外露引线框架在权利要求书中公布了：1.一种双基岛单个异形散热片外露引线框架，其特征在于，包括：引线框架本体（1）和引线框架结构； 所述引线框架本体（1）为矩形结构； 所述引线框架结构设置于所述引线框架本体（1）上，包含若干引线框架组； 每个引线框架组包含若干个引线框架结构最小单元，所述引线框架组之间设置有第一应力释放槽（4）和主流道长孔（5）； 所述第一应力释放槽（4）分布于引线框架组右侧； 所述主流道长孔（5）设置于所述第一应力释放槽（4）右侧； 所述引线框架结构最小单元上包括两个基岛和三种引脚； 所述两个基岛包括小基岛（13）和大基岛（15），其中: 所述小基岛（13）位于所述引线框架结构最小单元左侧； 所述大基岛（15）设置于所述引线框架结构最小单元中部，位于所述小基岛（13）的下方； 所述三种引脚包括L形引脚（A1）、T形引脚、外引脚（10），其中： 所述L形引脚（A1）设置于所述大基岛（15）的下方； 所述T形引脚数量为6个，其中第一T形引脚（A2）设置于所述大基岛（15）的下方，第二T形引脚（A5）、第三T形引脚（A6）、第四T形引脚（A7）、第五T形引脚（A8）和第六T形引脚（A9）设置于所述小基岛（13）的上方；且 所述第一T形引脚（A2）上设置有锁胶孔； 所述L形引脚（A1）上设置有另一锁胶孔； 所述外引脚（10）包括第一普通形引脚（A3）、第二普通形引脚（A4）和第三普通形引脚（A10），其中： 所述第一普通形引脚（A3）与所述大基岛（15）相连； 所述第二普通形引脚（A4）设置于所述小基岛（13）的上方，与所述小基岛（13）的一边相连； 所述第三普通形引脚（A10）设置于所述小基岛（13）的上方，与所述小基岛（13）的另一边相连； 所述大基岛（15）上设置有L形半蚀刻槽（D1），所述L形半蚀刻槽（D1）不能贯穿于所述大基岛（15）； 所述小基岛（13）面积小于所述大基岛（15）面积，所述小基岛（13）下沉深度小于所述大基岛（15）下沉深度。

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