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龙图腾网获悉恒劲科技股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551395B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111367586.1，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由许哲玮设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法，其半导体封装结构包括叠设的一第一堆叠结构及一第二堆叠结构；第一堆叠结构包括一第一介电层、一第一功率晶片、第一导电连接元件、第一导电柱及一第一图案化导电层；第二堆叠结构包括一第二介电层、一第二功率晶片、第二导电连接元件、第二导电柱、一第二图案化导电层及一第三图案化导电层；通过将第一功率晶片及第二功率晶片以上下层堆叠的方式设置，以提供一第一功率晶片及第二功率晶片二者可通过线路结构来直接电性连接且能革除导线架相关弊端的半导体封装结构；另外，本发明亦提供一种半导体封装结构的制造方法。

本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 一第一堆叠结构，包括： 一第一介电层，具有相对设置的一第一表面及一第二表面； 一第一图案化导电层，嵌设于该第一介电层内，且其中一侧暴露于该第一介电层的该第一表面； 一第一功率晶片，嵌设于该第一介电层中，并且具有相对设置的一第一电极布局及一第二电极布局，且该第一功率晶片通过一第一导电粘着层而以该第二电极布局端结合于该第一介电层内的该第一图案化导电层上，该第一功率晶片的该第一电极布局上设有至少一第一导电连接元件，且该第一导电连接元件的一端暴露于该第一介电层的该第二表面； 一控制晶片，具有相对设置的一主动面及一背面，该控制晶片嵌设于该第一介电层中，其中该控制晶片以该背面通过该第一导电粘着层而结合于该第一图案化导电层上，且该控制晶片的该主动面，通过多个第一导电连接元件与第二图案化导电层连接；及 至少一第一导电柱，嵌设于该第一介电层中，且其中一端连接在该第一介电层内的该第一图案化导电层上，而另一端暴露于该第一介电层的该第二表面；以及 一第二堆叠结构，叠设于该第一堆叠结构上，包括： 一第二介电层，具有相对设置的一第三表面及一第四表面，其中该第三表面邻接在该第一介电层的该第二表面上； 一该第二图案化导电层，嵌设于该第二介电层内，且其中一侧暴露于该第二介电层的该第三表面以连接该第一导电柱及该第一导电连接元件； 一第二功率晶片，嵌设于该第二介电层中，并且具有相对设置的一第三电极布局及一第四电极布局，且该第二功率晶片通过一第二导电粘着层而以该第四电极布局端结合于该第二介电层内的该第二图案化导电层上，该第二功率晶片的该第三电极布局上设有至少一第二导电连接元件，且该第二导电连接元件的一端暴露于该第二介电层的该第四表面，其中该第二功率晶片与该第一功率晶片沿着堆叠方向的投影是重叠的； 至少一第二导电柱，嵌设于该第二介电层内，且其中一端连接在该第二介电层内的该第二图案化导电层上，而另一端暴露于该第二介电层的该第四表面；及 一第三图案化导电层，设于该第二介电层的该第四表面上，并且连接该第二导电柱及该第二导电连接元件。

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