长江存储科技有限责任公司陈亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111356184.1，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统是由陈亮设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统，其中，页缓冲器包括沿第一方向交替排布的第一晶体管区域和第二晶体管区域；每个第一晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第一子区域，每个第二晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第二子区域；至少两个沿第一方向延伸的阱接触结构，阱接触结构分别位于相邻的第一子区域之间和相邻的第二子区域之间；至少两个沿第二方向延伸的电连接层，电连接层用于对每个第一晶体管区域内的所有阱接触结构进行连接；电连接层还用于对每个第二晶体管区域内的所有阱接触结构进行连接；第一方向垂直于所述第二方向。
本发明授权一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种页缓冲器，其特征在于，所述页缓冲器包括： 沿第一方向交替排布的第一晶体管区域和第二晶体管区域；每个所述第一晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第一子区域，每个所述第二晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第二子区域； 至少两个沿所述第一方向延伸的阱接触结构，所述阱接触结构分别位于相邻的所述第一子区域之间和相邻的所述第二子区域之间； 至少两个沿所述第二方向延伸的电连接层，所述电连接层用于对每个第一晶体管区域内的所有阱接触结构进行连接；所述电连接层还用于对每个第二晶体管区域内的所有阱接触结构进行连接； 所述第一方向不同于于所述第二方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号