无锡先瞳半导体科技有限公司张子敏获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111340000.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、屏蔽栅、控制栅、基体区、源区、绝缘层、源极、漏极和金属栅极；漂移区、基体区、源区和源极依次设置在衬底区上方，漏极设置于衬底区下方，控制栅和屏蔽栅由上至下设置在漂移区一侧；衬底区1、漂移区2和源区7的掺杂类型均为第一掺杂类型；基体区6的掺杂类型为第二掺杂类型；衬底区1和源区7的掺杂浓度均大于漂移区的掺杂浓度；基体区6包括由上至下分布的若干层掺杂分布层；若干层掺杂分布层的掺杂浓度由上至下线性降低。本申请提供的方案能够有效地缩短沟道区的沟道长度，从而减少沟道区的导通电阻。
本发明授权变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、屏蔽栅4、控制栅5、基体区6、源区7、绝缘层3、源极8、漏极9和金属栅极10；所述漂移区2、所述基体区6、所述源区7和所述源极8依次设置在所述衬底区1上方，所述漏极9设置于所述衬底区1下方，所述控制栅5和所述屏蔽栅4由上至下设置在所述漂移区2的同一侧，且所述控制栅5通过所述绝缘层3分别与所述基体区6和所述源区7贴合，所述屏蔽栅4通过所述绝缘层3与所述漂移区2贴合； 所述衬底区1、所述漂移区2和所述源区7的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述基体区6的掺杂类型为第二掺杂类型； 所述衬底区1和所述源区7的掺杂浓度均大于所述漂移区的掺杂浓度；所述基体区6包括由上至下分布的若干层掺杂分布层；所述若干层掺杂分布层的掺杂浓度由上至下线性降低； 所述若干层掺杂分布层中，每层掺杂分布层的厚度相等。
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