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龙图腾网获悉曙光网络科技有限公司申请的专利基于FPGA的DDR2 SRAM接口电路及其相位调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114090241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111313153.8，技术领域涉及：G06F9/50；该发明授权基于FPGA的DDR2 SRAM接口电路及其相位调整方法是由胡玉庆;杜春奇;卢士鹏设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于FPGA的DDR2 SRAM接口电路及其相位调整方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FPGA的DDR2SRAM接口电路及其相位调整方法，所述电路包括：控制模块，所述控制模块用于发出控制命令以及时钟信号；所述时钟信号为phy_clk；SRAM模块，所述SRAM模块与所述控制模块连接；读写数据模块，所述读写数据模块基于所述phy_clk的时钟域，根据所述控制命令将数据写入所述SRAM模块或者读取所述SRAM模块的数据；相位调整模块，所述相位调整模块与所述读写模块连接，所述相位调整模块用于寻找读写数据的相位窗口，确定中间值。本发明的技术方案，DDR2SRAM写数据和读数据在同一个时钟域下，无需对读返回数据做跨时钟处理。

本发明授权基于FPGA的DDR2 SRAM接口电路及其相位调整方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FPGA的DDR2SRAM接口电路，其特征在于，包括： 控制模块，所述控制模块用于发出控制命令以及时钟信号；所述时钟信号为phy_clk； SRAM模块，所述SRAM模块与所述控制模块连接； 读写数据模块，所述读写数据模块基于所述phy_clk的时钟域，根据所述控制命令将数据写入所述SRAM模块或者读取所述SRAM模块的数据，其中，读数据和写数据基于同一时钟域进行； 相位调整模块，所述相位调整模块与所述读写数据模块连接，所述相位调整模块用于调整写相位和读相位； 所述控制模块还用于当读数据命令有效时，产生读数据有效标识，对所述读数据有效标志打拍延迟，设定固定延迟拍数为P，所述P等于所述phy_clk； 所述相位调整模块还用于通过预设Odelay_tap_count以及idelay_tap_count的初始值分别为M＝0、N＝0，再根据读写正确的组合集，确定目标写相位的tap值，并根据所述目标写相位的tap值，确定目标读相位的tap值。

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