长江存储科技有限责任公司胡思平获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111316238.1，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权半导体结构及其制备方法是由胡思平设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，用于降低半导体结构的设计难度及制备成本。半导体结构包括多个半导体器件。半导体器件包括衬底和参考图形。相邻两个半导体器件中，位于下层的为第一半导体器件，位于上层的为第二半导体器件。第二半导体器件的衬底中至少与第一半导体器件的参考图形相对应的部分的透光率，小于或等于预设透光率。预设透光率为在从第二半导体器件远离第一半导体器件一侧无法识别第一半导体器件的参考图形的情况下，第二半导体器件的衬底中与第一半导体器件的参考图形相对应的部分的最大透光率。第二半导体器件的参考图形和第一半导体器件的参考图形的正投影至少部分重合。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括自下而上依次堆叠的多个半导体器件； 所述半导体器件包括：衬底，及位于所述衬底上的膜层和参考图形； 相邻两个半导体器件中，位于下层的为第一半导体器件，位于上层的为第二半导体器件； 所述第二半导体器件的衬底中至少与所述第一半导体器件的参考图形相对应的部分的透光率，小于或等于预设透光率；所述预设透光率为在从所述第二半导体器件远离所述第一半导体器件一侧无法识别所述第一半导体器件的参考图形的情况下，所述第二半导体器件的衬底中与所述第一半导体器件的参考图形相对应的部分的最大透光率； 所述第二半导体器件的参考图形和所述第一半导体器件的参考图形，在所述第一半导体器件的衬底上的正投影至少部分重合。
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