株式会社齿健池尻誉広获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社齿健申请的专利一种半导体二氧化钛的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116635151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180088507.5，技术领域涉及：C01G23/047；该发明授权一种半导体二氧化钛的制备方法是由池尻誉広;田中良汰;塚田晋也;远藤欢一;古南博设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体二氧化钛的制备方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体二氧化钛的制备方法，该方法不需要复杂的预处理，使用通用的设备就能够简单地制备半导体二氧化钛。该方法包括：将含钛基材在70～90℃的过氧化氢水溶液中浸泡1～28小时的第一浸泡工序；以及，第二浸泡工序；所述第二浸泡工序包括：将经过了所述第一浸泡工序的所述基材在10～30℃的常温水中浸泡24～48小时的常温水浸泡工序；以及，将经过了所述常温水浸泡工序的所述基材在70～90℃的温水中浸泡24～96小时的温水浸泡工序。
本发明授权一种半导体二氧化钛的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体二氧化钛的制备方法，包括： 将含钛基材在70～90℃的过氧化氢水溶液中浸泡1～28小时的第一浸泡工序；以及， 第二浸泡工序； 所述第二浸泡工序包括： 将经过了所述第一浸泡工序的所述基材在10～30℃的常温水中浸泡24～48小时的常温水浸泡工序；以及， 将经过了所述常温水浸泡工序的所述基材在70～90℃的温水中浸泡24～96小时的温水浸泡工序； 其中，所述含钛基材由钛或钛合金构成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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