美光科技公司V·莫斯基亚诺获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利全局-局部读取校准获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111245357.2，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权全局-局部读取校准是由V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可;K·K·姆奇尔拉;V·P·拉亚普鲁;J·S·小麦克尼尔设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本全局-局部读取校准在说明书摘要公布了：本申请涉及全局‑局部读取校准。一种用以校准用于读取存储器单元群组的电压的存储器装置。举例来说，所述存储器装置通过在以第一电压间隔彼此隔开的第一测试电压下读取存储器单元群组来测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性。基于所述第一信号和噪声特性来确定所述存储器单元群组的读取电平的估计。所述存储器装置接着通过在以第二电压间隔彼此隔开的第二测试电压下读取所述存储器单元群组来测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性，所述第二电压间隔小于所述第一电压间隔。根据所述第二信号和噪声特性来计算所述读取电平的优化读取电压。
本发明授权全局-局部读取校准在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 集成电路封装，其包封所述存储器装置；以及 多个存储器单元群组，其形成于至少一个集成电路管芯上； 其中响应于识别所述多个群组内的存储器单元群组的命令，所述存储器装置配置成， 在以第一电压间隔彼此隔开的第一测试电压下测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性； 基于所述第一信号和噪声特性来确定所述存储器单元群组的读取电平的估计； 在以第二电压间隔彼此隔开的第二测试电压下测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性，所述第二电压间隔小于所述第一电压间隔；以及 根据所述第二信号和噪声特性来计算所述读取电平的优化读取电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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