中微半导体设备(上海)股份有限公司吴昊获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利限制环以及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111181000.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权限制环以及等离子体处理装置是由吴昊;王乔慈设计研发完成，并于2021-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本限制环以及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种限制环，用于等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括基座，所述限制环围绕所述基座设置于所述等离子体处理装置的等离子体反应区域和排气区域之间，所述限制环包括同心设置的多个环板，多个所述环板沿所述基座的径向排列，相邻两个环板之间的缝隙形成气体通道；至少两个环板具有磁性，相邻两个具有磁性的环板之间形成磁场，所述磁场限制从所述等离子体反应区域排出的带电粒子由所述气体通道流入所述排气区域。相应的，还提供一种包含上述限制环的等离子体处理装置。本发明既能够提升抽气效率，又能保证足够的电子、离子碰壁率，降低等离子体泄露的风险。
本发明授权限制环以及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种限制环，用于等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括基座，所述限制环围绕所述基座设置于所述等离子体处理装置的等离子体反应区域和排气区域之间，其特征在于，包括同心设置的多个环板，多个所述环板沿所述基座的径向排列，相邻两个环板之间的缝隙形成气体通道； 至少两个环板具有磁性，相邻两个具有磁性的环板之间形成磁场，所述磁场限制从所述等离子体反应区域排出的带电粒子由所述气体通道流入所述排气区域； 所述等离子体处理装置的反应腔内具有射频屏蔽区，所述限制环设置于所述射频屏蔽区内以避免反应腔内的射频电磁场使所述环板退磁； 所述基座外围设有沿所述基座的轴向延伸的第一接地环和沿所述基座的径向延伸的第二接地环，所述第一接地环连接所述第二接地环，所述第一接地环的底部连接所述反应腔的底壁，所述第二接地环连接所述反应腔的侧壁，所述射频屏蔽区是位于所述第二接地环下方的区域。
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