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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种光探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111150660.4，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种光探测器及其制备方法是由欧欣;陈阳;黄凯设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种光探测器及其制备方法，该光探测器包括：第一传输波导、第二传输波导、第一耦合器、第二耦合器、波长转换器和光探测结构；第一耦合器设置于第一传输波导和波长转换器之间，第一耦合器能够使第一传输波导与波长转换器进行光导通；波长转换器用于对第一耦合器输出的光信号进行波长转换；第二耦合器设置于第二传输波导和波长转换器之间，第二耦合器能够使第二传输波导与波长转换器进行光导通；光探测结构用于探测第二耦合器输出的光信号，本申请通过制备的光探测器将对于硅材料来说为透明波段的光转化为不透明波段的光，进而对光进行探测，提高了探测的精度，避免集成其他材料制备探测器，也减小了制备工艺的难度，降低了生产成本。

本发明授权一种光探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光探测器，其特征在于，包括：第一传输波导101、第二传输波导102、第一耦合器1、第二耦合器3、波长转换器2和光探测结构4； 所述第一耦合器1设置于所述第一传输波导101和所述波长转换器2之间，所述第一耦合器1用于将所述第一传输波导101与所述波长转换器2进行光导通； 所述波长转换器2用于对所述第一耦合器1输出的光信号进行波长转换； 所述第二耦合器3设置于所述第二传输波导102和所述波长转换器2之间，所述第二耦合器3能够使所述第二传输波导102与所述波长转换器2进行光导通； 所述光探测结构4用于探测所述第二耦合器3输出的光信号； 所述波长转换器2为对预设材质的薄膜层进行刻蚀处理得到的，所述预设材质包括铌酸锂；所述波长转换器2包括铌酸锂波导层，所述铌酸锂波导层的厚度为100nm-800nm；所述波长转换器2用于将所述第一耦合器1输出的1100nm-2000nm的光信号的波长转换至600nm-1000nm之内，并将经过所述波长转换后的光信号传输至所述第二耦合器3。

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