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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的对应方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111150863.3，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的对应方法是由R·蒂齐亚尼设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和制造半导体装置的对应方法在说明书摘要公布了：根据本公开的各实施例涉及半导体装置和制造半导体装置的对应方法。封装半导体装置包括基板，基板具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。至少一个半导体裸片被安装在基板的第一表面处。导电引线被布置在基板周围，并且导电结构将至少一个半导体裸片耦合到导电引线的被选择的引线。封装模制材料被模制到至少一个半导体裸片上、导电引线上和导电结构上。封装模制材料使基板的第二表面未被封装模制材料覆盖。基板由电绝缘材料层形成。

本发明授权半导体装置和制造半导体装置的对应方法在权利要求书中公布了：1.一种封装半导体装置，包括： 电绝缘基板，所述电绝缘基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对； 至少一个半导体裸片，所述至少一个半导体裸片在至少一个相应的半导体裸片安装位置处被安装在所述电绝缘基板的所述第一表面； 引线框的多个导电引线，所述多个导电引线围绕所述电绝缘基板被布置； 多个导电结构，所述多个导电结构将所述至少一个半导体裸片耦合到所述多个导电引线中的被选择的引线，其中所述多个导电结构包括在所述电绝缘基板的所述第一表面上的第一导电图案； 封装模制材料，所述封装模制材料被模制到被安装在所述电绝缘基板的所述第一表面处的所述至少一个半导体裸片上、所述引线框的所述多个导电引线上、以及所述多个导电结构上，以形成扁平无引线封装，使所述电绝缘基板的所述第二表面未被所述封装模制材料覆盖，并且使所述多个导电引线的底表面未被所述封装模制材料覆盖；以及 多个半导体裸片，所述多个半导体裸片在相应的多个半导体裸片安装位置处被安装在所述电绝缘基板的所述第一表面处，其中所述第一导电图案包括导电线，所述导电线将所述多个半导体裸片中的至少一个半导体裸片耦合到所述多个半导体裸片中的至少另一个半导体裸片， 其中： 所述多个半导体裸片包括第一晶体管裸片、第二晶体管裸片、第一二极管裸片、第二二极管裸片、第一晶体管驱动电路裸片和第二晶体管驱动电路裸片； 围绕所述电绝缘基板被布置的所述多个导电引线包括控制信号引线的第一集合、控制信号引线的第二集合、正电压供电引线、负电压供电引线或参考电压供电引线、以及输出电压引线； 所述电绝缘基板的所述第一表面上的所述导电图案中的所述导电线包括： 第一导电线，将所述第一晶体管裸片的漏极端子或集电极端子耦合到所述第一二极管裸片的阴极端子； 第二导电线，将所述第二晶体管裸片的漏极端子或集电极端子耦合到所述第二二极管裸片的阴极端子； 导电线的第一子集，被配置为从所述电绝缘基板的外围朝向所述第一晶体管驱动电路裸片路由信号；以及 导电线的第二子集，被配置为从所述电绝缘基板的所述外围朝向所述第二晶体管驱动电路裸片路由信号；以及 其中所述多个导电结构还包括键合线，所述键合线将所述多个导电引线中的被选择的引线耦合到所述导电线。

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