东京毅力科创株式会社竹谷考司获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110953644.2，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权蚀刻方法和蚀刻装置是由竹谷考司;杨元;李桢灿;户田聪;羽田敬子设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法实施如下工序：吸附工序，向前述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于前述含氧硅膜；脱附工序，使多余的前述有机胺化合物气体从前述基板脱附；和，蚀刻工序，向吸附有前述有机胺化合物的基板供给所述包含卤素的前述蚀刻气体，对前述各凹部的前述含氧硅膜进行选择性地蚀刻。
本发明授权蚀刻方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体，对嵌入至所述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻， 所述蚀刻方法具备如下工序： 吸附工序，向所述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于所述含氧硅膜； 脱附工序，使多余的所述有机胺化合物气体从所述基板脱附；和， 蚀刻工序，向吸附有所述有机胺化合物的基板供给包含卤素的所述蚀刻气体，对所述各凹部的所述含氧硅膜进行选择性地蚀刻， 其中，所述蚀刻方法包括：并行地进行所述吸附工序和所述蚀刻工序；以及在并行地进行所述吸附工序和所述蚀刻工序之后，停止所述吸附工序并且并行地进行所述脱附工序与所述蚀刻工序，其中所述脱附工序包括仅将所述有机胺化合物气体和所述蚀刻气体中的蚀刻气体供给至所述基板的工序。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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