买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947958.1，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电流检测装置，包括：充电MOS晶体管，充电MOS晶体管的栅极用于接收充电控制信号以控制电池装置的充电；至少一个充电电流检测MOS晶体管，充电电流检测MOS晶体管检测电池装置的充电电流，充电电流检测MOS晶体管的漏极与充电MOS晶体管的漏极连接，充电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收充电检测控制信号以对充电电流进行检测；校准电流生成电路，校准电流生成电路至少向充电MOS晶体管提供校准电流；以及采样校准控制器。本公开还提供一种半导体芯片、电池管理系统及用电设备。

本发明授权电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备在权利要求书中公布了：1.一种电流检测装置，其特征在于，包括： 充电MOS晶体管，所述充电MOS晶体管的栅极用于接收充电控制信号以控制电池装置的充电； 至少一个充电电流检测MOS晶体管，所述充电电流检测MOS晶体管检测所述电池装置的充电电流，所述充电电流检测MOS晶体管的漏极与所述充电MOS晶体管的漏极连接，所述充电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收充电检测控制信号以对所述充电电流进行检测，所述充电电流检测MOS晶体管的沟道宽长比与所述充电MOS晶体管的沟道宽长比的比值为1：M，其中M大于1； 校准电流生成电路，所述校准电流生成电路至少向所述充电MOS晶体管提供校准电流，所述校准电流生成电路包括基准电压装置以及基准电阻器，所述基准电压装置提供基准电压，所述基准电压被施加到所述基准电阻器以产生所述校准电流；以及 采样校准控制器，所述采样校准控制器基于所述校准电流以及比值1：M获得所述充电电流检测MOS晶体管的理想充电电流检测值，且所述充电MOS晶体管被提供所述校准电流时，所述采样校准控制器采集所述充电电流检测MOS晶体管的测试充电电流检测值，并基于所述理想充电电流检测值与所述测试充电电流检测值生成校准参数，所述校准参数为理想充电电流检测值与测试充电电流检测值的比值； 所述采样校准控制器包括采样测量电路，所述采样测量电路对所述充电电流检测MOS晶体管检测的检测电流进行采集。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海迈巨微电子有限责任公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。