国科大杭州高等研究院胡伟达获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110907978.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器及其制备方法、应用是由胡伟达;付晓;苗金水;张蕾;左文彬;徐志昊;李唐鑫;王金津;郝春慧;赵志强设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器的制备方法、应用，在二氧化硅衬底上使用超声雾化沉积法在有缺陷的石墨烯电极上通过掩膜版非对称地沉积二硫化钼纳米片，加热引起石墨烯和二硫化钼部分氧化，形成非对称的具有光伏效应的氧化石墨烯氧参杂硫化钼氧化石墨烯器件以用作面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器。本发明提出了一种通过记忆流经器件的电通量调控两端器件的光响应率的新型器件、制备方法及其应用。
本发明授权一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器的制备方法，其特征在于：在二氧化硅衬底上使用超声雾化沉积法在有缺陷的石墨烯电极上通过掩膜版非对称地沉积二硫化钼纳米片，加热引起石墨烯和二硫化钼部分氧化，形成非对称的具有光伏效应的氧化石墨烯氧掺杂二硫化钼氧化石墨烯器件，两端接触面积以及接触势垒的不对称性，器件显示出了光伏效应，以用作面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器。
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