长鑫存储技术有限公司许杞安获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利静电保护电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110812621.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护电路及芯片是由许杞安设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电保护电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电保护电路及芯片，静电保护电路包括：可控硅整流器，具有阳极、阴极和静电泄放路径；第一触发单元，连接于所述可控硅整流器的阳极和阴极之间，用于在被保护芯片发生静电时产生触发信号；第二触发单元，连接于所述静电泄放路径上，且所述第二触发单元的输入端与所述第一触发单元的输出端连接，用于基于所述触发信号，导通所述静电泄放路径泄放静电电流。本发明无需加速并直接通过第一触发单元输出高电平触发第二触发单元放电导通，从而导通静电泄放路径泄放静电电流，不仅能够对被保护芯片进行静电保护，而且具有结构简单、尺寸较小、触发速度快的优点。
本发明授权静电保护电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种静电保护电路，其特征在于，包括： 可控硅整流器，具有阳极、阴极和静电泄放路径； 第一触发单元，连接于所述可控硅整流器的阳极和阴极之间，用于在被保护芯片发生静电时产生高电平； 第二触发单元，连接于所述静电泄放路径上，且所述第二触发单元的输入端与所述第一触发单元的输出端连接，用于基于所述高电平导通所述静电泄放路径泄放静电电流； 所述静电泄放路径包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一三极管的发射极为所述可控硅整流器的阳极，所述第一三极管的基极与所述第一电阻的一端和所述第二三极管的集电极连接，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻的一端和所述第二三极管的基极连接，所述第二电阻另一端与所述第一电阻另一端连接，所述第二三极管的发射极作为所述可控硅整流器的阴极。
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