长鑫存储技术有限公司赵文礼获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110813115.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由赵文礼;白杰设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底、NMOS晶体管以及PMOS晶体管，NMOS晶体管包括依次叠置的第一电介质层、第一功函数层以及第一导电层，PMOS晶体管包括依次叠置的第二电介质层、第二功函数层以及第二导电层。在半导体结构的制作过程中，会导致第一功函数层和第二功函数层内的金属元素扩散，可能会影响半导体结构阈值电压的调节，通过在第一功函数层朝向第二功函数层的一侧设置有第一侧壁隔离层，和或，第二功函数层朝向第一功函数层的一侧设置有第二侧壁隔离层，可以阻止金属元素的交叉扩散，以此避免半导体结构阈值电压难以被调节的情况，从而改善半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的NMOS晶体管和PMOS晶体管； 所述NMOS晶体管包括： 第一电介质层，所述第一电介质层位于所述衬底上； 第一功函数层，所述第一功函数层位于所述第一电介质层上； 第一导电层，所述第一导电层位于所述第一功函数层上； 所述PMOS晶体管包括： 第二电介质层，所述第二电介质层位于所述衬底上； 第二功函数层，所述第二功函数层位于所述第二电介质层上； 第二导电层，所述第二导电层位于所述第二功函数层上； 其中，所述第一功函数层朝向所述第二功函数层的一侧设置有第一侧壁隔离层，所述第二功函数层朝向所述第一功函数层的一侧设置有第二侧壁隔离层，所述第一侧壁隔离层位于所述第二侧壁隔离层的下方。
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