聚束科技(北京)有限公司杨润潇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉聚束科技(北京)有限公司申请的专利一种亲水性基片制作方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110774469.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种亲水性基片制作方法及装置是由杨润潇;李帅;何伟;曲士座;刘辉设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种亲水性基片制作方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种亲水性基片制作方法及装置，该方法包括：真空腔室内通入反应气体；对所述真空腔室施加第一电压，对样品台施加第二电压，电子源发射电子束轰击所述反应气体产生第一等离子体；所述第一等离子体作用于基片表面；对所述样品台施加第三电压，所述电子源停止发射所述电子束；辉光放电产生的第二等离子体作用于所述基片表面。本发明提供的一种亲水性基片制作方法在产生第一等离子体和第二等离子体过程中启辉容易，第一等离子体和第二等离子体作用于基片后，基片的亲水性效果稳定，次品率低。
本发明授权一种亲水性基片制作方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种亲水性基片制作方法，其特征在于：包括： 真空腔室内通入反应气体； 对所述真空腔室施加第一电压，对样品台施加第二电压，电子源发射电子束轰击所述反应气体产生第一等离子体； 所述第一等离子体作用于基片表面； 对所述样品台施加第三电压，所述电子源停止发射所述电子束； 辉光放电产生的第二等离子体作用于所述基片表面； 其中，所述真空腔室内通入反应气体的所述真空腔室的第二真空度为-；所述第一电压的电压为；所述第二电压的电压为-；所述第三电压的电压为-。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人聚束科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区永昌北路3号3幢8101-A单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号