信越化学工业株式会社桥上洋获国家专利权
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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157550B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180057772.7，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法是由桥上洋设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明为一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的具有刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接或隔着其他层具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有所述结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体的特征在于，所述缓冲层为组成各自不同的多层缓冲膜的层叠结构体，所述多层缓冲膜中至少有两层缓冲膜的膜厚为200nm以上650nm以下。由此，可提供即使通过异质外延生长而形成时，也具有结晶缺陷、翘曲及裂纹被抑制的高品质的刚玉型结晶性金属氧化物半导体膜的半导体层叠体。
本发明授权半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜， 所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有与该缓冲层接触的所述结晶性金属氧化物半导体膜， 所述半导体层叠体的特征在于， 所述缓冲层为组成各自不同的多层缓冲膜的层叠结构体， 所述多层缓冲膜中至少有两层缓冲膜的膜厚为200nm以上650nm以下， 所述缓冲膜包含所述结晶性金属氧化物半导体膜所含的金属元素中所含最多的主成分金属元素、及所述缓冲层的衬底所含的金属元素中所含最多的主成分金属元素， 所述缓冲层为以随着从所述缓冲层的所述基体侧朝向所述结晶性金属氧化物半导体膜侧，所述结晶性金属氧化物半导体膜的所述主成分金属元素的组成比变大的方式层叠所述多层缓冲膜而成的层叠结构体，且为所述缓冲层的衬底的所述主成分金属元素的组成比变小的方式层叠所述多层缓冲膜而成的层叠结构体。
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