信越化学工业株式会社;高知县公立大学法人桥上洋获国家专利权
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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社;高知县公立大学法人申请的专利成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115777029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180045862.4，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜是由桥上洋;渡部武纪;坂爪崇宽;川原村敏幸;邓太江;安冈龙哉设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜在说明书摘要公布了：本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。
本发明授权成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜在权利要求书中公布了：1.一种层叠体的制造方法，其特征在于，其包含： 制备成膜用掺杂原料溶液的步骤，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，其中，使用pH为1以下的溶剂作为所述第一溶剂，使用含有盐酸、氢溴酸、氢碘酸、硝酸、硫酸、乙酸或甲酸的溶剂作为所述第一溶剂； 制备含有膜前驱体的成膜原料溶液的步骤； 对基板进行加热的步骤； 将所述成膜用掺杂原料溶液及所述成膜原料溶液雾化的步骤； 利用载气将所述雾化后的成膜用掺杂原料溶液与所述雾化后的成膜原料溶液供给于所述加热后的基板并进行成膜的步骤。
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