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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006701.4，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法是由久保智裕设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种三维存储器器件包括位于线沟槽之间的绝缘层和导电层的交替堆叠、第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域，以及位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间以及所述存储器阵列区域之间的一对介电壁结构。所述交替堆叠内的每个层在连接区域中的所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间连续延伸。所述交替堆叠的所述导电层在阶梯区域中具有随着距所述衬底的距离而减小的横向范围。在所述介电壁结构之间提供与绝缘板或绝缘层交错的介电材料板。

本发明授权具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，其特征在于，所述三维存储器器件包括： 绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于第一线沟槽和第二线沟槽之间，所述第一线沟槽和所述第二线沟槽沿第一水平方向并在衬底上方横向延伸； 第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域，所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域沿所述第一水平方向横向间隔开并且包括所述交替堆叠的每个层，其中各自包括竖直半导体沟道和存储器膜的相应一组存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域中的每一者内的所述交替堆叠； 第一介电壁结构和第二介电壁结构，所述第一介电壁结构和所述第二介电壁结构位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间并且位于所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间，沿所述第一水平方向横向延伸，并且在所述第一水平方向上具有比所述第一线沟槽沿所述第一水平方向的横向范围小且比所述第二线沟槽沿所述第一水平方向的横向范围小的横向范围，其中连接区域位于所述第一线沟槽和所述第一介电壁结构之间，并且阶梯区域位于所述第二线沟槽和所述第二介电壁结构之间，并且所述交替堆叠的所述导电层具有沿所述第一水平方向随着距所述衬底的竖直距离的增加而在竖直方向上减小的横向范围；和 介电材料板和绝缘板或层的交替堆叠，所述交替堆叠位于所述第一介电壁结构和所述第二介电壁结构之间，其中所述介电材料板具有随着距所述衬底的所述竖直距离的增加而在竖直方向上减小的水平剖面面积；并且 其中所述三维存储器器件进一步包括： 较低层级介电材料层，所述较低层级介电材料层位于所述衬底以及所述交替堆叠和所述介电材料板的组合之间并嵌入较低层级金属互连结构； 较高层级介电材料层，所述较高层级介电材料层位于所述交替堆叠和所述介电材料板的所述组合上方并嵌入较高层级金属互连结构； 连接通孔结构，所述连接通孔结构竖直延伸穿过所述介电材料板并接触所述较低层级金属互连结构中的相应一者和所述较高层级金属互连结构中的相应一者；和 层接触通孔结构，所述层接触通孔结构在所述阶梯区域的区域内接触所述导电层中的相应一者的顶表面；并且 其中所述三维存储器器件进一步包括： 附加绝缘层和附加导电层的附加交替堆叠，所述附加交替堆叠位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间并且位于所述交替堆叠上方或下方；和 附加介电材料板，所述附加介电材料板嵌入在所述附加交替堆叠内，其中所述连接通孔结构竖直延伸穿过所述附加介电材料板中的每一者。

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