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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110463976.2，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储装置及其操作方法是由陈汉松;黄建福设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储装置及其操作方法，其中，该存储装置具有多个存储单元区块与多条位线，每一区块包含一组字线与一组NAND串列。多个存储单元区块中的每一区块具有多个子区块，每一子区块包含被选取区块的一组NAND串列的不同的子集和个别子区块串列选择线。控制电路被配置以执行编程操作，编程操作包含施加预充电压电平的字线电压与串列选择线电压以使被选取区块中的一组NAND串列预充电，接着降低该区块的所有区块串列选择线的栅极电压，且接着降低该组字线的字线电压。然后，在被选取子区块中的存储单元的编程被执行。

本发明授权存储装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一存储装置，包含： 一存储单元区块，包含一字线叠层与正交于该字线叠层的多个柱，其中该存储单元区块包含多个存储单元位于该多个柱中的多个柱与该字线叠层中的多条字线之间的多个交叉点； 多条串列选择线，每一该串列选择线相交于该存储单元区块的一个别的子区块，每一该子区块具有该多个柱中多个柱形成的一不同的柱子集，这些柱与这些串列选择线的多个相交点的每一者定义该柱的一个别的串列选择栅极； 多条位线，正交于该多个柱且连接至每一不同的该柱子集中的一柱的该串列选择栅极； 一或更多的参考线，耦接至该多个柱，该存储单元区块的这些存储单元配置于多个NAND串列中且介于该多条位线与该一或更多的参考线之间， 其中该存储单元区块包含多个存储单元子区块，每一该存储单元子区块包含多个存储单元位于各自不同的这些柱子集中的多个柱与该字线叠层中的这些字线之间的多个交叉点；以及 多个控制电路，配置以对该多条位线中的多条位线、该字线叠层中的这些字线、与该多条串列选择线中的多条串列选择线施加多个偏压以进行一编程操作以编程多个存储单元，这些存储单元位在该字线叠层中的一被选取字线且在该多个存储单元子区块中的一被选取存储单元子区块中，该编程操作包含： 一第一时期，使该存储单元区块的该多个柱中的这些柱预充电至一预充电压电平，包含使该字线叠层中的这些字线充电至多个字线预充电压电平，且使这些串列选择线预充电至多个串列选择线预充电压电平； 一第二时期，使该字线叠层中的这些字线放电，包含在使该字线叠层中的这些字线的电压降低之前，使该多条串列选择线中的这些串列选择线的电压降低； 一第三时期，设定一被选取存储单元子区块的一被选取串列选择线的电压，且设定一未被选取存储单元子区块的一未被选取串列选择线的电压； 一第四时期，依据将要被编程入该被选取存储单元子区块的一数据模式设定该多条位线中的这些位线的电压；及 一第五时期，施加编程电压以将该数据模式编程入该被选取存储单元子区块中的该被选取字线的这些存储单元。

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