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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括垂直沟道结构的集成电路和该集成电路的布局方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110423684.6，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权包括垂直沟道结构的集成电路和该集成电路的布局方法是由白尚训;孔贞顺;都桢湖设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括垂直沟道结构的集成电路和该集成电路的布局方法在说明书摘要公布了：提供了一种由一个或更多个半导体单元中的多个垂直场效应晶体管VFET实现的集成电路以及集成电路的布局方法，其中第一单元的一对第二垂直沟道结构和第二单元中的相邻的一对第一垂直沟道结构之间的距离与第一单元中的所述一对第一垂直沟道结构和邻近所述一对第一垂直沟道结构布置的一对第二垂直沟道结构之间的距离相同，第一单元的所述一对第二垂直沟道结构和第二单元中的所述相邻的一对第一垂直沟道结构均面对第一单元和第二单元之间的单元边界。

本发明授权包括垂直沟道结构的集成电路和该集成电路的布局方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括在第一方向上彼此相邻的第一单元和第二单元，其中，所述第一单元包括： 第一下源极漏极区和第二下源极漏极区，在所述第一方向上在衬底上延伸并被布置为在第二方向上彼此间隔开； 一对第一垂直沟道结构，被放置为在所述第二方向上与所述第一下源极漏极区和所述第二下源极漏极区交叉； 一对第二垂直沟道结构，被放置为在所述第二方向上与所述第一下源极漏极区和所述第二下源极漏极区交叉，并被布置为在所述第一方向上与所述一对第一垂直沟道结构间隔开； 一对第一上源极漏极区和一对第二上源极漏极区，分别放置在所述一对第一垂直沟道结构和所述一对第二垂直沟道结构上； 第一栅电极和第二栅电极，分别围绕所述一对第一垂直沟道结构的侧表面，以及第三栅电极和第四栅电极，分别围绕所述一对第二垂直沟道结构的侧表面； 连接金属层，连接到所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极； 输入布线，通过栅极通路连接到所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极中的至少一个栅电极，以接收输入信号；以及 输出布线，通过上源极漏极通路连接到所述一对第二上源极漏极区， 其中，在所述第一方向上，所述第一单元的所述一对第二垂直沟道结构和所述第二单元中的相邻的一对第一垂直沟道结构之间的距离与所述一对第一垂直沟道结构和所述一对第二垂直沟道之间的距离相同，所述第一单元的所述一对第二垂直沟道结构和所述第二单元中的所述相邻的一对第一垂直沟道结构面对所述第一单元和所述第二单元之间的单元边界。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。