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联华电子股份有限公司李国兴获国家专利权

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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利一次性可编程存储器结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115224034B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110412932.7,技术领域涉及:H10B20/25;该发明授权一次性可编程存储器结构是由李国兴;白启宏;翁彰键;薛胜元;曾靖翔;徐世杰设计研发完成,并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一次性可编程存储器结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种一次性可编程存储器结构,包括基底、晶体管、电容器与互连线结构。晶体管位于基底上。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在基底上方。第二电极设置在第一电极上。第一电极位于第二电极与基底之间。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。互连线结构电连接于晶体管与电容器的第一电极之间。互连线结构在第一电极的顶面电连接于第一电极。上述一次性可编程存储器结构可有效地防止在基底中产生噪声源。

本发明授权一次性可编程存储器结构在权利要求书中公布了:1.一种一次性可编程存储器结构,其特征在于,包括: 基底; 晶体管,位于所述基底上,所述晶体管包括位于所述基底上的栅极; 电容器,包括: 第一电极,设置在所述基底上方; 第二电极,设置在所述第一电极上,其中所述第一电极位于所述第二电极与所述基底之间;以及 绝缘层,设置在所述第一电极与所述第二电极之间;以及 互连线结构,电连接于所述晶体管与所述电容器的所述第一电极之间,其中所述互连线结构在所述第一电极的顶面电连接于所述第一电极, 其中,所述第一电极的顶面与所述栅极的顶面位于同一平面上,且所述平面垂直于所述第一电极朝向所述第二电极的方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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