芯盟科技有限公司华文宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110374507.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法是由华文宇;何波涌设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向垂直；在衬底内形成若干第一凹槽，若干第一凹槽沿第二方向排列，且沿第一方向贯穿若干有源区；在第一凹槽内形成初始字线栅极结构，初始字线栅极结构内包括相对的第一侧区和第二侧区；去除第一侧区及与第一侧区邻接的部分有源区，形成字线栅极结构，并在字线栅极结构和有源区之间形成第二凹槽；在第二凹槽内形成第一隔离结构；在各有源区的第一面上形成若干电容结构；在衬底第二面上形成若干位线结构，若干位线结构沿第一方向排列且平行于第二方向。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立的有源区，若干所述有源区沿第一方向排列，且若干所述有源区平行于第二方向，所述第一方向与第二方向相互垂直； 在所述衬底内形成若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区； 在第一凹槽内形成初始字线栅极结构，所述初始字线栅极结构内包括相对的第一侧区和第二侧区，所述第一侧区和第二侧区分别与所述有源区邻接； 去除所述第一侧区以及与第一侧区邻接的部分所述有源区，形成字线栅极结构，并在所述字线栅极结构和有源区之间形成第二凹槽； 在第二凹槽内形成第一隔离结构； 在各所述有源区的第一面上形成若干电容结构； 在衬底第二面上形成若干位线结构，若干所述位线结构沿第一方向排列，且若干所述位线结构平行于第二方向。
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