芯盟科技有限公司华文宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110373396.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构是由华文宇;何波涌设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括：衬底，衬底包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向垂直；位于衬底内的若干第一凹槽，若干第一凹槽沿第二方向排列且沿第一方向贯穿若干有源区；位于第一凹槽内的字线栅极结构，字线栅极结构内包括相对的第一侧区和第二侧区，第二侧区与有源区邻接；位于第一凹槽内的第一隔离结构，第一隔离结构与字线栅极结构第一侧区邻接，第一隔离结构位于字线栅极结构与有源区之间，第一隔离结构还位于部分有源区内；位于各有源区的第一面上的若干电容结构；位于衬底第二面上的若干位线结构，若干位线结构沿第一方向排列且平行于第二方向。所述半导体结构的性能得到提升。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立的有源区，若干所述有源区沿第一方向排列，且若干所述有源区平行于第二方向，所述第一方向与第二方向相互垂直； 位于所述衬底内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区； 位于第一凹槽内的字线栅极结构，所述字线栅极结构内包括相对的第一侧区和第二侧区，所述第二侧区与所述有源区邻接； 位于第一凹槽内的第一隔离结构，所述第一隔离结构与字线栅极结构第一侧区邻接，所述第一隔离结构位于字线栅极结构与有源区之间，所述第一隔离结构还位于部分有源区内； 位于各所述有源区的第一面上的若干电容结构； 位于衬底第二面上的若干位线结构，若干所述位线结构沿第一方向排列，且若干所述位线结构平行于第二方向。
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