爱思开海力士有限公司金镇浩获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括行解码器的存储器装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114155897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110332501.X,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权包括行解码器的存储器装置是由金镇浩;金映奇;成象铉;吴星来;田炳现设计研发完成,并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括行解码器的存储器装置在说明书摘要公布了:本申请涉及包括行解码器的存储器装置。一种存储器装置包括:基板,其限定有第一单元区域和第二单元区域以及在第一单元区域和第二单元区域之间的行解码器区域;外围电路,其限定在基板的第一单元区域和第二单元区域中;传输晶体管,其限定在基板的行解码器区域中;底布线层,其设置在覆盖外围电路和传输晶体管的第一介电层中;存储器单元阵列,其限定在第一介电层上;第二介电层,其限定在第一介电层上并覆盖存储器单元阵列;顶布线层,其设置在限定在第二介电层上的第三介电层中;以及全局线,其设置在行解码器区域中并且被配置为向传输晶体管传送操作电压,其中,全局线仅设置在底布线层和顶布线层当中的至少一个底布线层中。
本发明授权包括行解码器的存储器装置在权利要求书中公布了:1.一种存储器装置,该存储器装置包括: 基板,该基板限定有在第一方向上设置的第一单元区域和第二单元区域以及设置在所述第一单元区域和所述第二单元区域之间的行解码器区域; 外围电路,该外围电路限定在所述基板的所述第一单元区域和所述第二单元区域中; 多个传输晶体管,所述多个传输晶体管限定在所述基板的所述行解码器区域中; 多个底布线层,所述多个底布线层设置在覆盖所述外围电路和所述多个传输晶体管的第一介电层中; 存储器单元阵列,该存储器单元阵列限定在所述第一介电层上; 第二介电层,该第二介电层限定在所述第一介电层上,该第二介电层覆盖所述存储器单元阵列; 多个顶布线层,所述多个顶布线层设置在第三介电层中,所述第三介电层限定在所述第二介电层上;以及 多条全局线,所述多条全局线设置在所述行解码器区域中,所述多条全局线向所述多个传输晶体管传送操作电压, 其中,所述多条全局线仅设置在所述多个底布线层和所述多个顶布线层当中的底布线层中,并且 其中,所述多条全局线设置在所述多个底布线层当中的非最顶端底布线层的底布线层中。
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